Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > BLF8G19LS-170BV,11
BLF8G19LS-170BV,11
BLF8G19LS-170BV,11
Modèle de produit:
BLF8G19LS-170BV,11
Fabricant:
Ampleon
La description:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
89289 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BLF8G19LS-170BV,11.pdf
Enquête

introduction

BLF8G19LS-170BV,11 meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour BLF8G19LS-170BV,11, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour BLF8G19LS-170BV,11 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:32V
Tension - Nominale:65V
Transistor Type:LDMOS (Dual), Common Source
Package composant fournisseur:LDMOST
Séries:-
Alimentation - sortie:60W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-1120B
Autres noms:934067169118
Noise Figure:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:18dB
La fréquence:1.94GHz ~ 1.99GHz
Description détaillée:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 1.3A 1.94GHz ~ 1.99GHz 18dB 60W LDMOST
Note actuelle:-
Courant - Test:1.3A
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes BLF8G19LS-170BV,11

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
BLF8G10LS-300PU Image BLF8G10LS-300PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B Enquête
BLF8G10LS-300PJ Image BLF8G10LS-300PJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B Enquête
BLF8G20LS-200V,115 Image BLF8G20LS-200V,115 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B Enquête
BLF8G20LS-140VJ Image BLF8G20LS-140VJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Enquête
BLF8G20LS-200V Ampleon RF FET Enquête
BLF8G20LS-140GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Enquête
BLF8G10LS-270,112 Image BLF8G10LS-270,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Enquête
BLF8G10LS-270,118 Image BLF8G10LS-270,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Enquête
BLF8G10LS-270GV,12 Image BLF8G10LS-270GV,12 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C Enquête
BLF8G20LS-140GVQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Enquête
BLF8G10LS-270GVJ Image BLF8G10LS-270GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C Enquête
BLF8G20LS-160VJ Image BLF8G20LS-160VJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B Enquête
BLF8G10LS-160,112 Image BLF8G10LS-160,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B Enquête
BLF8G20LS-160VU Image BLF8G20LS-160VU Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B Enquête
BLF8G10LS-270V,112 Image BLF8G10LS-270V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B Enquête
BLF8G10LS-160,118 Image BLF8G10LS-160,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B Enquête
BLF8G20LS-140VU Image BLF8G20LS-140VU Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Enquête
BLF8G20LS-200V,112 Image BLF8G20LS-200V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B Enquête
BLF8G19LS-170BVU Image BLF8G19LS-170BVU Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B Enquête
BLF8G10LS-270V,118 Image BLF8G10LS-270V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B Enquête

Latest Nouvelles