Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > BLF6G13LS-250P,112
BLF6G13LS-250P,112
BLF6G13LS-250P,112
Modèle de produit:
BLF6G13LS-250P,112
Fabricant:
Ampleon
La description:
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
39251 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BLF6G13LS-250P,112.pdf
Enquête

introduction

BLF6G13LS-250P,112 meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour BLF6G13LS-250P,112, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour BLF6G13LS-250P,112 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:50V
Tension - Nominale:100V
Transistor Type:LDMOS
Package composant fournisseur:LDMOST
Séries:-
Alimentation - sortie:250W
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-1121B
Autres noms:1603-1015
934065125112
BLF6G13LS-250P,112-ND
Noise Figure:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:17dB
La fréquence:1.3GHz
Description détaillée:RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.3GHz 17dB 250W LDMOST
Note actuelle:-
Courant - Test:100mA
Numéro de pièce de base:BLF6G13
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes BLF6G13LS-250P,112

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
BLF6G13LS-250PGJ Image BLF6G13LS-250PGJ Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E Enquête
BLF6G13L-250P,112 Image BLF6G13L-250P,112 Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121A Enquête
BLF6G15L-500H,112 Image BLF6G15L-500H,112 Ampleon RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A Enquête
BLF6G15L-250PBRN:1 Image BLF6G15L-250PBRN:1 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A Enquête
BLF6G10LS-200RN,11 Image BLF6G10LS-200RN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B Enquête
BLF6G15LS-250PBRN, Image BLF6G15LS-250PBRN, Ampleon RF FET 65V 18.5DB SOT1110B Enquête
BLF6G10LS-260PRN,1 Image BLF6G10LS-260PRN,1 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B Enquête
BLF6G10S-45K,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B Enquête
BLF6G10LS-200RN:11 Image BLF6G10LS-200RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B Enquête
BLF6G15L-40BRN,112 Image BLF6G15L-40BRN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A Enquête
BLF6G15L-250PBRN,1 Image BLF6G15L-250PBRN,1 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A Enquête
BLF6G10S-45K,112 Image BLF6G10S-45K,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B Enquête
BLF6G15LS-250PBRN: Image BLF6G15LS-250PBRN: Ampleon RF FET 65V 18.5DB SOT1110B Enquête
BLF6G15LS-40RN,112 Image BLF6G15LS-40RN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT1135B Enquête
BLF6G10LS-200R,112 Image BLF6G10LS-200R,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502B Enquête
BLF6G10LS-200R,118 Image BLF6G10LS-200R,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502B Enquête
BLF6G15LS-500H,112 Image BLF6G15LS-500H,112 Ampleon RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539B Enquête
BLF6G10LS-260PRN:1 Image BLF6G10LS-260PRN:1 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B Enquête
BLF6G15L-40BRN,118 Image BLF6G15L-40BRN,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A Enquête
BLF6G10S-45,112 Image BLF6G10S-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B Enquête

Latest Nouvelles