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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > BG3123E6327HTSA1
BG3123E6327HTSA1
BG3123E6327HTSA1
Modèle de produit:
BG3123E6327HTSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
38211 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BG3123E6327HTSA1.pdf
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introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:5V
Tension - Nominale:8V
Transistor Type:2 N-Channel (Dual)
Package composant fournisseur:PG-SOT363-6
Séries:-
Alimentation - sortie:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:BG 3123 E6327
BG 3123 E6327-ND
BG3123E6327HTSA1TR
SP000014846
Noise Figure:1.8dB
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:25dB
La fréquence:800MHz
Description détaillée:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
Note actuelle:25mA, 20mA
Courant - Test:14mA
Numéro de pièce de base:BG3123
Email:[email protected]

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image Modèle de produit Fabricant La description Vue
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