BC848BHZGT116
BC848BHZGT116
Modèle de produit:
BC848BHZGT116
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
61874 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.BC848BHZGT116.pdf2.BC848BHZGT116.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:SST3
Séries:Automotive, AEC-Q101
Puissance - Max:200mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:BC848BHZGT116DKR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:200MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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