| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 625mW |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 150mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1A |
| Numéro de pièce de base: | BC639 |
| Email: | [email protected] |
