ATP213-TL-H
ATP213-TL-H
Modèle de produit:
ATP213-TL-H
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
56055 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
ATP213-TL-H.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ATPAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):50W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:ATPAK (2 leads+tab)
Autres noms:869-1085-2
ATP213TLH
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3150pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 50A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount ATPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A (Ta)
Email:[email protected]

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