AS4C64M32MD1-5BINTR
AS4C64M32MD1-5BINTR
Modèle de produit:
AS4C64M32MD1-5BINTR
Fabricant:
Alliance Memory, Inc.
La description:
IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
66172 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
AS4C64M32MD1-5BINTR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.9 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
Package composant fournisseur:90-FBGA (8x13)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:90-VFBGA
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:2Gb (64M x 32)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
Fréquence d'horloge:200MHz
Temps d'accès:5ns
Email:[email protected]

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