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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C64M16MD1-5BCN
AS4C64M16MD1-5BCN
Modèle de produit:
AS4C64M16MD1-5BCN
Fabricant:
Alliance Memory, Inc.
La description:
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
41154 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
AS4C64M16MD1-5BCN.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
Package composant fournisseur:60-FBGA (8x10)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:60-TFBGA
Température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:1Gb (64M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-FBGA (8x10)
Fréquence d'horloge:200MHz
Temps d'accès:5ns
Email:[email protected]

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image Modèle de produit Fabricant La description Vue
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