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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C32M16MD1-5BINTR
AS4C32M16MD1-5BINTR
Modèle de produit:
AS4C32M16MD1-5BINTR
Fabricant:
Alliance Memory, Inc.
La description:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
44654 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
AS4C32M16MD1-5BINTR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.9 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
Package composant fournisseur:60-FBGA (8x9)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:60-TFBGA
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:512Mb (32M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x9)
Fréquence d'horloge:200MHz
Temps d'accès:700ps
Email:[email protected]

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