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APTGL475U120DAG
APTGL475U120DAG
Modèle de produit:
APTGL475U120DAG
Fabricant:
Microsemi
La description:
POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
31717 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APTGL475U120DAG.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 400A
Package composant fournisseur:SP6
Séries:-
Puissance - Max:2307W
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:24.6nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
Description détaillée:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 610A 2307W Chassis Mount SP6
Courant - Collecteur Cutoff (Max):4mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):610A
Configuration:Single
Email:[email protected]

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