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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APTGF50DH60T1G
APTGF50DH60T1G
APTGF50DH60T1G
Modèle de produit:
APTGF50DH60T1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
62535 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APTGF50DH60T1G.pdf2.APTGF50DH60T1G.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.45V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur:SP1
Séries:-
Puissance - Max:250W
Package / Boîte:SP1
Température de fonctionnement:-
NTC thermistance:Yes
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:2.2nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:NPT
Description détaillée:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1
Courant - Collecteur Cutoff (Max):250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):65A
Configuration:Asymmetrical Bridge
Email:[email protected]

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