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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT54GA60BD30
APT54GA60BD30
APT54GA60BD30
Modèle de produit:
APT54GA60BD30
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 96A 416W TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
27099 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APT54GA60BD30.pdf2.APT54GA60BD30.pdf
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introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 32A
Condition de test:400V, 32A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:17ns/112ns
énergie de commutation:534µJ (on), 466µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:-
Puissance - Max:416W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:APT54GA60BD30MI
APT54GA60BD30MI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:28nC
Description détaillée:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):161A
Courant - Collecteur (Ic) (max):96A
Email:[email protected]

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