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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT30F60J
APT30F60J
APT30F60J
Modèle de produit:
APT30F60J
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
80154 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT30F60J.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ISOTOP®
Séries:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 21A, 10V
Dissipation de puissance (max):355W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:8590pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:215nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 31A (Tc) 355W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:31A (Tc)
Email:[email protected]

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