| État | New and Original |
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| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | ISOTOP® |
| Séries: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 530 mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 545W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 9670pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V |
| Description détaillée: | N-Channel 1200V 19A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
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APT18M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK | Enquête |
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APT2012F3C | Kingbright | EMITTER IR 940NM 50MA 0805 | Enquête |
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APT18F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK | Enquête |
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APT17NTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 480V SOT23 | Enquête |
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APT2012CGCK | Kingbright | LED GREEN CLEAR CHIP SMD | Enquête |
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APT18F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | Enquête |
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APT200GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 195A ISOTOP | Enquête |
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APT18M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | Enquête |
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APT200GN60J | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Enquête |
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APT200GN60JDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Enquête |
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APT17N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | Enquête |
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APT2012LSECK/J3-PRV | Kingbright | LED RED CLEAR 2SMD | Enquête |
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APT17N80SC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK | Enquête |
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APT2012EC | Kingbright | LED RED CLEAR CHIP SMD | Enquête |
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APT17F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK | Enquête |
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APT200GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W TO247 | Enquête |
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APT18M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | Enquête |
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APT200GN60JG | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Enquête |
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APT200GN60JDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Enquête |
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APT19F100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | Enquête |