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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT150GN60B2G
APT150GN60B2G
APT150GN60B2G
Modèle de produit:
APT150GN60B2G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 220A 536W SOT227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
67460 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT150GN60B2G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 150A
Condition de test:400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:44ns/430ns
énergie de commutation:8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
Séries:-
Puissance - Max:536W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:970nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm):450A
Courant - Collecteur (Ic) (max):220A
Email:[email protected]

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