AOTF10B65M2
AOTF10B65M2
Modèle de produit:
AOTF10B65M2
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
IGBT 650V 10A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
29378 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.AOTF10B65M2.pdf2.AOTF10B65M2.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 10A
Condition de test:400V, 10A, 30 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:12ns/91ns
énergie de commutation:180µJ (on), 130µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:Alpha IGBT™
Temps de recouvrement inverse (trr):262ns
Puissance - Max:30W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:785-1767
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:24nC
Description détaillée:IGBT 650V 20A 30W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm):30A
Courant - Collecteur (Ic) (max):20A
Email:[email protected]

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