AOT1N60
AOT1N60
Modèle de produit:
AOT1N60
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
75508 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.AOT1N60.pdf2.AOT1N60.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 Ohm @ 650mA, 10V
Dissipation de puissance (max):41.7W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:785-1184-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:160pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 1.3A (Tc) 41.7W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.3A (Tc)
Email:[email protected]

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