AONR32314
Modèle de produit:
AONR32314
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
55067 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
AONR32314.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.25V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-DFN (3x3)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.7 mOhm @ 17A, 10V
Dissipation de puissance (max):4.1W (Ta), 24W (Tc)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1420pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 17A (Ta), 30A (Tc) 4.1W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:17A (Ta), 30A (Tc)
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