AON5802B
AON5802B
Modèle de produit:
AON5802B
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
65537 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.AON5802B.pdf2.AON5802B.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:6-DFN-EP (2x5)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:19 mOhm @ 7A, 4.5V
Puissance - Max:1.6W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.2A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7.2A
Email:[email protected]

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