AOI4185
AOI4185
Modèle de produit:
AOI4185
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET P-CH 40V 40A TO251A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
45655 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.AOI4185.pdf2.AOI4185.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-251A
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:15 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2550pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:P-Channel 40V 40A (Tc) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Through Hole TO-251A
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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