AOB12N60FDL
AOB12N60FDL
Modèle de produit:
AOB12N60FDL
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
71905 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.AOB12N60FDL.pdf2.AOB12N60FDL.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-263 (D²Pak)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:650 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):278W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:785-1617-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2010pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 12A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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