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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > AFT18P350-4S2LR6
AFT18P350-4S2LR6
Modèle de produit:
AFT18P350-4S2LR6
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
71400 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
AFT18P350-4S2LR6.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:28V
Tension - Nominale:65V
Transistor Type:LDMOS (Dual)
Package composant fournisseur:NI-1230-4LS2L
Séries:-
Alimentation - sortie:63W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:NI-1230-4LS2L
Autres noms:935317727128
Noise Figure:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:16.1dB
La fréquence:1.81GHz
Description détaillée:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1A 1.81GHz 16.1dB 63W NI-1230-4LS2L
Note actuelle:-
Courant - Test:1A
Email:[email protected]

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