| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TOP-3F-A1 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 460 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3W (Ta), 100W (Tc) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TOP-3F |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3500pF @ 20V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| Description détaillée: | N-Channel 600V 15A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TOP-3F-A1 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
