| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 800mV @ 375mA, 3A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | MT-4-A1 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 2W |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | 3-SIP |
| Autres noms: | 2SC57880PATB 2SC5788PTB 2SC5788PTB-ND |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 180MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 180MHz 2W Through Hole MT-4-A1 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 160 @ 1A, 4V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 3A |
| Numéro de pièce de base: | 2SC5788 |
| Email: | [email protected] |
