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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > 2SC5415AF-TD-E
2SC5415AF-TD-E
2SC5415AF-TD-E
Modèle de produit:
2SC5415AF-TD-E
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS NPN BIPO 0.1A 12V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
42204 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2SC5415AF-TD-E.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):12V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:PCP
Séries:-
Puissance - Max:800mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-243AA
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):1.1dB @ 1GHz
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:9dB
Fréquence - Transition:6.7GHz
Description détaillée:RF Transistor NPN 12V 100mA 6.7GHz 800mW Surface Mount PCP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:90 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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