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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2N5822
2N5822
Modèle de produit:
2N5822
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
44575 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2N5822.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.2V @ 50mA, 500mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-92
Séries:-
Puissance - Max:1.5W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Autres noms:2N5822 PBFREE
Température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:120MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 70V 750mA 120MHz 1.5W Through Hole TO-92
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 2mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):750mA
Email:[email protected]

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