2N2906A
Modèle de produit:
2N2906A
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
43729 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2N2906A.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-18
Séries:-
Puissance - Max:400mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Autres noms:2N2906.
Température de fonctionnement:-
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 400mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):600mA
Numéro de pièce de base:2N2906
Email:[email protected]

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