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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2N2222AE3
2N2222AE3
Modèle de produit:
2N2222AE3
Fabricant:
Microsemi
La description:
SMALL-SIGNAL BJT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Conforme à RoHS
Quantité:
93549 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2N2222AE3.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-18
Séries:-
Statut RoHS:RoHS Compliant
Puissance - Max:500mW
Package / Boîte:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):50nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):800mA
Email:[email protected]

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