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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2DB1188P-13
2DB1188P-13
2DB1188P-13
Modèle de produit:
2DB1188P-13
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
78053 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2DB1188P-13.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:800mV @ 200mA, 2A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:SOT-89-3
Séries:-
Puissance - Max:1W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-243AA
Autres noms:2DB1188P13
2DB1188PDITR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:120MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 2A 120MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:82 @ 500mA, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):2A
Numéro de pièce de base:2DB1188
Email:[email protected]

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