1N6483-E3/96
1N6483-E3/96
Modèle de produit:
1N6483-E3/96
Fabricant:
La description:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
70973 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.1N6483-E3/96.pdf2.1N6483-E3/96.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1A
Tension - Ventilation:DO-213AB
Séries:SUPERECTIFIER®
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:8pF @ 4V, 1MHz
Polarisation:DO-213AB, MELF (Glass)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:21 Weeks
Référence fabricant:1N6483-E3/96
Description élargie:Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-213AB
Configuration diode:10µA @ 800V
La description:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Courant - fuite, inverse à Vr:1.1V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):800V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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