Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N6080
1N6080
1N6080
Modèle de produit:
1N6080
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
45666 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1N6080.pdf
Enquête

introduction

1N6080 meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour 1N6080, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour 1N6080 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.5V @ 37.7A
Tension - inverse (Vr) (max):100V
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):30ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:A, Axial
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 155°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 100V 2A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr:10µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io):2A
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes 1N6080

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
1N6096R GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4 Enquête
1N6096 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4 Enquête
1N6078US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 6A D5B Enquête
1N6077 Image 1N6077 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL Enquête
1N6081US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF Enquête
1N6081 Image 1N6081 Microsemi DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL Enquête
1N6095 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4 Enquête
1N6080US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF Enquête
1N6076US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 6A D5B Enquête
1N6080 Semtech DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL Enquête
1N6081 Semtech DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL Enquête
1N6076 Image 1N6076 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL Enquête
1N6078 Image 1N6078 Microsemi DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL Enquête
1N6079 Image 1N6079 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL Enquête
1N6079 Semtech DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL Enquête
1N6095R Image 1N6095R GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4 Enquête
1N6075US Microsemi DIODE GEN PURP 150V 3A D5A Enquête
1N6079US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF Enquête
1N6096 Microsemi SCHOTTKY RECTIFIER Enquête
1N6077US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 6A D5B Enquête

Latest Nouvelles