1N5187US
1N5187US
Modèle de produit:
1N5187US
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
74064 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1N5187US.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.5V @ 9A
Tension - inverse (Vr) (max):200V
Package composant fournisseur:-
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):200ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:B, Axial
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 200V 3A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr:2µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io):3A
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

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