1N5061 TR
1N5061 TR
Modèle de produit:
1N5061 TR
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
44621 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1N5061 TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.2V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max):600V
Package composant fournisseur:GPR-1A
La vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOD-88A, Axial
Autres noms:1N5061 TR LEAD FREE
1N5061 TR PBFREE
1N5061 TR-ND
1N5061CSTR
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 600V 1A Through Hole GPR-1A
Courant - fuite, inverse à Vr:5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io):1A
Capacité à Vr, F:15pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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