| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-236 |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 29 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | SI2369DS-T1-GE3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 32 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1295pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 30V 7.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount TO-236 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
