| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-236 |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 32 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | SI2365EDS-T1-GE3TR SI2365EDST1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 8V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 20V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount TO-236 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
