EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
Osa numero:
EPC2107ENGRT
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
85021 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
EPC2107ENGRT.pdf

esittely

EPC2107ENGRT paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on EPC2107ENGRT: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille EPC2107ENGRT: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Toimittaja Device Package:9-BGA (1.35x1.35)
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Virta - Max:-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:9-VFBGA
Muut nimet:917-EPC2107ENGRTR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET tyyppi:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET Ominaisuus:GaNFET (Gallium Nitride)
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit