EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
Osa numero:
EPC2110ENGRT
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
59442 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
EPC2110ENGRT.pdf

esittely

EPC2110ENGRT paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on EPC2110ENGRT: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille EPC2110ENGRT: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 700µA
Toimittaja Device Package:Die
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 4A, 5V
Virta - Max:-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.8nC @ 5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Ominaisuus:GaNFET (Gallium Nitride)
Valua lähde jännite (Vdss):120V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit