RJU002N06T106
RJU002N06T106
Número de pieza:
RJU002N06T106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
62726 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
RJU002N06T106.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:UMT3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):200mW (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:RJU002N06T106DKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:18pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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