RJU002N06T106
RJU002N06T106
Modello di prodotti:
RJU002N06T106
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
62726 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RJU002N06T106.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:UMT3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):200mW (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SC-70, SOT-323
Altri nomi:RJU002N06T106DKR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:18pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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