español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > RJU4351TDPP-EJ#T2
RJU4351TDPP-EJ#T2
Número de pieza:
RJU4351TDPP-EJ#T2
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
74163 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
RJU4351TDPP-EJ#T2.pdf
Investigación

Introducción

RJU4351TDPP-EJ#T2 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de RJU4351TDPP-EJ#T2, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para RJU4351TDPP-EJ#T2 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.9V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):430V
Paquete del dispositivo:TO-220FP-2L
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):25ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-2 Full Pack
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo:Standard
Descripción detallada:Diode Standard 430V 10A Through Hole TO-220FP-2L
Corriente - Fuga inversa a Vr:1µA @ 430V
Corriente - rectificada media (Io):10A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de RJU4351TDPP-EJ#T2

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
RJU6054TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP Investigación
RJU4351SDPE-00#J3 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK Investigación
RJU4352SDPD-E0#J2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 430V 20A TO252 Investigación
RJU60C2SDPD-E0#J2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 5A TO252 Investigación
RJU3052SDPD-E0#J2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 360V 20A TO252 Investigación
RJU6053SDPE-00#J3 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK Investigación
RJU60C2TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP Investigación
RJU002N06FRAT106 Image RJU002N06FRAT106 LAPIS Semiconductor 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON Investigación
RJU4352TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L Investigación
RJU6053TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP Investigación
RJU6053WDPP-M0#T2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL Investigación
RJU3051SDPE-00#J3 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK Investigación
RJU002N06T106 Image RJU002N06T106 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 Investigación
RJU6054SDPE-00#J3 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK Investigación
RJU003N03T106 Image RJU003N03T106 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 Investigación
RJU6052TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP Investigación
RJU4352SDPE-00#J3 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK Investigación
RJU6052SDPE-00#J3 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK Investigación
RJU60C3SDPD-E0#J2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 10A TO252 Investigación
RJU6052SDPD-E0#J2 Renesas Electronics America DIODE GEN PURP 600V 20A TO252 Investigación

Latest Noticias