| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Voltaje - Prueba: | 1066pF @ 10V |
| Tensión - Desglose: | Micro8™ |
| VGS (th) (Max) @Id: | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Serie: | HEXFET® |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.3A |
| Potencia - Max: | 1.25W |
| Polarización: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Otros nombres: | IRF7555TRPBF-ND IRF7555TRPBFTR SP001565526 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRF7555TRPBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 15nC @ 5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.2V @ 250µA |
| Característica de FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8™ |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | Logic Level Gate |
| Descripción: | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
