FDD8424H-F085A
Número de pieza:
FDD8424H-F085A
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
40108 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDD8424H-F085A.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:TO-252-4L
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:24 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max:1.3W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Otros nombres:FDD8424H-F085ACT
FDD8424H_F085ACT
FDD8424H_F085ACT-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A, 6.5A
Número de pieza base:FDD8424
Email:[email protected]

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