FDD7N20TM
Número de pieza:
FDD7N20TM
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
43261 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDD7N20TM.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:UniFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:690 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):43W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FDD7N20TMCT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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