FDD8424H-F085A
Modello di prodotti:
FDD8424H-F085A
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
40108 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDD8424H-F085A.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252-4L
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:24 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max:1.3W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Altri nomi:FDD8424H-F085ACT
FDD8424H_F085ACT
FDD8424H_F085ACT-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A, 6.5A
Numero di parte base:FDD8424
Email:[email protected]

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