DMN61D9UW-7
DMN61D9UW-7
Número de pieza:
DMN61D9UW-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 0.34A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
71679 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
DMN61D9UW-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-323
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 50mA, 5V
La disipación de energía (máximo):320mW (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:DMN61D9UW-7DICT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:28.5pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 340mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:340mA (Ta)
Email:[email protected]

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