DMN61D8LVTQ-7
DMN61D8LVTQ-7
Número de pieza:
DMN61D8LVTQ-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
68421 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
DMN61D8LVTQ-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSOT-26
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Potencia - Max:820mW
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:DMN61D8LVTQ-7DICT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12.9pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.74nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:630mA
Email:[email protected]

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