DMN61D9UDW-7
DMN61D9UDW-7
Número de pieza:
DMN61D9UDW-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
57005 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
DMN61D9UDW-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SOT-363
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 50mA, 5V
Potencia - Max:320mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:DMN61D9UDW-7DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:28.5pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 320mW Surface Mount SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:350mA
Email:[email protected]

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