CSD22206W
Número de pieza:
CSD22206W
Fabricante:
TI
Descripción:
8V P-CHANNEL FEMTOFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
43403 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
CSD22206W.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.05V @ 250µA
Vgs (Max):-6V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:9-DSBGA (1.5x1.5)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5.7 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.7W (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:9-UFBGA, DSBGA
Otros nombres:296-49606-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2275pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14.6nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción detallada:P-Channel 8V 5A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA (1.5x1.5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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