| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | -6V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 9-DSBGA |
| Serie: | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12.2 mOhm @ 2A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.5W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 9-UFBGA, DSBGA |
| Otros nombres: | 296-39999-2 CSD22202W15-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 35 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1390pF @ 4V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 8.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 8V |
| Descripción detallada: | P-Channel 8V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
