CSD22205L
Número de pieza:
CSD22205L
Fabricante:
TI
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
77303 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
CSD22205L.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.05V @ 250µA
Vgs (Max):-6V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-PICOSTAR
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:9.9 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):600mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-XFLGA
Otros nombres:296-49605-2
CSD22205L-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1390pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:8V
Descripción detallada:P-Channel 8V 7.4A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 4-PICOSTAR
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.4A (Ta)
Email:[email protected]

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